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T3インプラント

T3インプラント(インターナル)

革新的ハイブリッド表面性状

周囲炎リスクを抑制し、良好なオッセオインテグレーションを実現

 

インプラント・アバットメントコネクション

耐久性・密閉性に優れたコネクションシステム

 

プラットフォームスイッチング

生物学的幅径を確立し、歯槽頂骨を維持

次世代ハイブリッドデザイン

インプラント表面トポグラフィー1.4μm *:14(SA値)を実現

プライマリースタビリティー *:6,7,8

初期埋入時 - インプラント表面と骨の接触率は、インプラントスタビリティーを得るための主因となる。*:9 外科器具および 3iT3インプラントは、許容誤差を極めて少なく抑えインプラント表面と骨を密着させる事で、プライマリースタビリティーを実現する。

 

オッセオインテグレーション *:10,11

前臨床試験において、3iT3 及びT3 DCDインプラントサーフェイスは、従来の表面性状に比べ治癒段階を通じて高い骨結合力を示した。

 

インプラント周囲炎リスクの軽減 *:12,13

3iT3インプラントカラー部は、実績のあるオッセオタイトを採用。5年間の研究で、オッセオタイトインプラント(W酸処理加工表面)は、ハイブリットインプラント(機械研磨表面)と同等のインプラント周囲炎や軟組織の合併症リスク抑制値を示した。*:12

 

※SA値:インプラント表面全体の荒さを示した3D解析平均値

5年間の複数施設におけるオッセオタイトインプラント(W酸処理加工表面)とハイブリットインプラント(機械研磨表面)周囲炎リスク比較検討

  • 前臨床試験は、必ずしも臨床成績を示すものではない
  • Zellerqvist 他「ハイブリッドインプラントとオッセオタイトインプラントの周囲炎発生率に関する5年間の先見的、多施設型、無作為対象化臨床試験」J Periodontol 誌、2010年4月

BI Scores

84% のSBIトータルスコアが0 だった
出血および炎症が確認されなかった

Probing Depths: Change from baseline(mm)

どちらのインプラントにおいても3mmより深いポケットは確認されなかった

 

7カ所の施設に登録された112人の患者に、139の対照インプラントおよび165の試験インプラントを実施(合計:304のインプラント)
オッセオタイトインプラント(W酸処理加工表面)とハイブリッドインプラント(機械研磨表面)

インプラントアバットメントコネクション

優れたインプラント/アバットメントコネクションは、マイクロムーブメントを最小化し、潜在的な微小漏洩を軽減。*:15

 

インプラント/アバットメント密閉強度

厳密なコネクションの許容誤差と最大の締付力で微小漏洩を低減するデザイン。

 

  • 2011年7月から2012年6月にかけて、バイオメット3i 社はインプラント/アバットメントコネクションシステムの試験を目的とする動的疲労漏洩試験を実施
  • 試験の設定条件は、ISO14801の歯科用骨内インプラントの動的疲労試験を適用
  • バイオメット3i の5 つのサンプルと3 つの競合インプラントシステムを評価
  • 各システムで破折もしくは漏洩のあった平均密閉強度(N)の詳細をグラフ化
  • ベンチ試験の結果は、必ずしも臨床成績を示す物ではない

インプラント/アバットメント締付力

Gold-Titeスクリューを使用することで、非コーティングスクリューと比較しインプラント/アバットメント締付力を113%増大。18Gold-Titeスクリュー表面上のゴールドコーティングがシーリング材となり締付力を増大し、アバットメントの安定性を最大化。*:19

アメリカ合衆国特許商標庁(USPTO)628711、追加特許は審査中

プラットフォームスイッチング

プラットフォームスイッチングによるリモデリング

プラットフォームスイッチングは、インプラント/アバットメント接合部(IAJ)を内側に移動させ、骨から遠ざける事によって生物学的幅径を確立し、歯槽頂骨を維持。*:20

 

クレスタル・ボーンの保存

研究では、バイオメット3iのプラットフォームスイッチングインプラント使用時のクレスタル・ボーン・ロスは僅か0.37mm であった。*:21

プラットフォームスイッチングとノンプラットフォームスイッチングの比較 *:22

内側に絞られたインプラント/アバットメント接合は、周囲組織を支え、退縮の可能性を50%軽減(必ずしも全ての被験患者に典型的、特徴的あるいは代表的な結果ではない)

T3インプラント パラメータ

テーパード・インプラント

(D) = Diameter (P) = Platform

3i T3® プラットフォームスイッチング


BOPT4313
Length4mm(D) x 3.4mm(P)5mm(D) x 4.1mm(P)6mm(D) x 5mm(P)
8.5mm BOPT4385 BOPT5485 BOPT6585
10mm BOPT4310 BOPT5410 BOPT6510
11.5mm BOPT4311 BOPT5411 BOPT6511
13mm BOPT4313 BOPT5413 BOPT6513
15mm BOPT4315 BOPT5415 BOPT6515

 

3i T3 DCD® プラットフォームスイッチング

Length4mm(D) x 3.4mm(P)5mm(D) x 4.1mm(P)6mm(D) x 5mm(P)
8.5mm BNPT4385 BNPT5485 BNPT6585
10mm BNPT4310 BNPT5410 BNPT6510
11.5mm BNPT4311 BNPT5411 BNPT6511
13mm BNPT4313 BNPT5413 BNPT6513
15mm BNPT4315 BNPT5415 BNPT6515

 

3i T3®


BOST413
Length3.25mm(D) x 3.4mm(P)4mm(D) x 4.1mm(P)5mm(D) x 5mm(P)6mm(D) x 6mm(P)
8.5mm BOST3285 BOST485 BOST585 BOST685
10mm BOST3210 BOST410 BOST510 BOST610
11.5mm BOST3211 BOST411 BOST511 BOST611
13mm BOST3213 BOST413 BOST513 BOST613
15mm BOST3215 BOST415 BOST515 BOST615

 

3i T3 DCD®

Length3.25mm(D) x 3.4mm(P)4mm(D) x 4.1mm(P)5mm(D) x 5mm(P)6mm(D) x 6mm(P)
8.5mm BNST3285 BNST485 BNST585 BNST685
10mm BNST3210 BNST410 BNST510 BNST610
11.5mm BNST3211 BNST411 BNST511 BNST611
13mm BNST3213 BNST413 BNST513 BNST613
15mm BNST3215 BNST415 BNST515 BNST615

 

パラレルウォールド・インプラント

3i T3® プラットフォームスイッチング


BOPS4313
Length4mm(D) x 3.4mm(P)5mm(D) x 4.1mm(P)6mm(D) x 5mm(P)
8.5mm BOPS4385 BOPS5485 BOPS6585
10mm BOPS4310 BOPS5410 BOPS6510
11.5mm BOPS4311 BOPS5411 BOPS6511
13mm BOPS4313 BOPS5413 BOPS6513
15mm BOPS4315 BOPS5415 BOPS6515

 

3i T3 DCD® プラットフォームスイッチング

Length4mm(D) x 3.4mm(P)5mm(D) x 4.1mm(P)6mm(D) x 5mm(P)
8.5mm BNPS4385 BNPS5485 BNPS6585
10mm BNPS4310 BNPS5410 BNPS6510
11.5mm BNPS4311 BNPS5411 BNPS6511
13mm BNPS4313 BNPS5413 BNPS6513
15mm BNPS4315 BNPS5415 BNPS6515

 

3i T3®


BOSS413
Length3.25mm(D) x 3.4mm(P)4mm(D) x 4.1mm(P)5mm(D) x 5mm(P)6mm(D) x 6mm(P)
8.5mm BOSS385 BOSS485 BOSS585 BOSS685
10mm BOSS310 BOSS410 BOSS510 BOSS610
11.5mm BOSS311 BOSS411 BOSS511 BOSS611
13mm BOSS313 BOSS413 BOSS513 BOSS613
15mm BOSS315 BOSS415 BOSS515 BOSS615

 

3i T3 DCD®

Length3.25mm(D) x 3.4mm(P)4mm(D) x 4.1mm(P)5mm(D) x 5mm(P)6mm(D) x 6mm(P)
8.5mm BNSS385 BNSS485 BNSS585 BNSS685
10mm BNSS310 BNSS410 BNSS510 BNSS610
11.5mm BNSS311 BNSS411 BNSS511 BNSS611
13mm BNSS313 BNSS413 BNSS513 BNSS613
15mm BNSS315 BNSS415 BNSS515 BNSS615

 

医療機器承認番号 22600BZX00131000
医療機器承認番号 22600BZX00470000

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参考文献

1. Sullivan DY, Sherwood RL, Porter SS. Long-term performance of OSSEOTITER Implants: A 6-year follow-up. Compendium. 2001 Apr;Vol.22, No.4.

2. Javed F, Romanos GE. The role of primary stability for successful immediate loading of dental implants. A literature review. J Dent. 2010 Aug;38(8):612-20. Epub 2010 Jun 11. Review.

3. Fransson C, Lekholm U, Jemt T, Berglundh T. Prevalence of subjects with progressive bone loss at implants. Clinical Oral Implants Research. 2005;16:440–446.

4. Zitzmann NU, Berglundh T. Definition and prevalence of peri-implant diseases. J Clin Perio. 2008;35:286–291. 5. Lazzara RJ, Porter SS. Platform Switching: A new concept in implant dentistry for controlling post restorative crestal bone levels. Int J Periodontics Restorative Dent. 2006;26:9-17.

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16. Suttin et al. A novel method for assessing implant-abutment connection seal robustness. Poster Presentation: Academy of Osseointegration, 27th Annual Meeting; March 2012; Phoenix, AZ.

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18. Suttin Z, Towse R. Effect of abutment screw design on implant system seal performance. Presented at the European Association for Osseointegration, 20th Annual Scientific Meeting; October 2012; Copenhagen, Denmark.

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20. Lazzara RJ, Porter SS. Platform switching: A new concept in implant dentistry for controlling postrestorative crestal bone levels. Int J Perio Rest Dent. 2006;26:9-17.

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22. Boitel N, Andreoni C, Grunder U, Naef R, Meyenberg K. A three year prospective, multicenter, randomized-controlled study evaluating platform-switching for the preservation of peri-implant bone levels. Poster Presentation P83: Academy of Osseointegration, 26th Annual Meeting: 2011 March 3-5; Washington DC.

 

References 6–10 discuss the BIOMET 3i Tapered Implant macrodesign, which is incorporated into the 3i T3R Implant.

References 10–13 discuss the BIOMET 3i OSSEOTITER and/or NanoTite™ Implants’ dual acid-etched or DCDR technology, which is incorporated into the 3i T3 Implant.

References 20–22 discuss BIOMET 3i PREVAILR Implants with an integrated platform switching design, which is also incorporated into the 3i T3™ Implant.

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